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UPA1453H-AZ

更新时间： 2024-11-24 21:12:07

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	54K
描述
5A, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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UPA1453H-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.42
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSIP-T10	元件数量：	4
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1453H-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR ARRAY

µPA1453

PNP SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY

HIGH SPEED SWITCHING USE

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSION

(in m illim eters)

The µPA1453 is PNP silicon epitaxial Power Transistor

Array that built in 4 circuits designed for driving solenoid,

relay, lam p and so on.

26.8 MAX.

4.0

FEATURES

•

Easy m ount by 0.1 inch of term inal interval.

High hFE. Low VCE(sat).

h^FE= 100 to 400 (at IC = –2 A)

V^CE(sat)= –0.3 V MAX. (at IC = –2 A)

1.4

0.5 ±0.1

2.54

1.4 0.6 ±0.1

ORDERING INFORMATION

Part Num ber

Package

Quality Grade

Standard

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

µPA1453H

10 Pin SIP

CONNECTION DIAGRAM

Please refer to "Quality grade on NEC Sem iconductor Devices"

(Docum ent num ber IEI-1209) published by NEC Corporation to

know the specification of quality grade on the devices and its

recom m ended applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (pulse)

Base Current (DC)

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

–60

–7

PIN No.

2, 4, 6, 8: Base (B)

3, 5, 7, 9: Collector (C)

1, 10 : Emitter (E)

–5

A/unit

I^C(pulse)* –10

I^B(DC)

P^T1**

P^T2***

T^j

–1.0

3.5

Total Power Dissipation

J unction Tem perature

Storage Tem perature

150

˚C

T^stg–55 to +150 ˚C

* PW ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 10 %

** 4 Circuits, T^a= 25 ˚C

*** 4 Circuits, T^c= 25 ˚C

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. IC-3519

(O. D. No. IC-6339)

Date Published September 1994

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1454	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE
UPA1454H	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE
UPA1454H-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UPA1456	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1456H	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1456H-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UPA1457H	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING(DARLINGTON)
UPA1458	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1458H	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1476	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA

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