UPA1520BH

更新时间： 2024-11-15 22:41:43

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	82K
描述
N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING USE

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UPA1520BH 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.38
配置：	2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T10
JESD-609代码：	e0	元件数量：	4
端子数量：	10	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA1520BH 数据手册

DATA SHEET

Compound Field Effect Power Transistor

µPA1520B

N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY

SWITCHING USE

DESCRIPTION

The µPA1520B is N-channel Power MOS FET Array that

built in 4 circuits designed for solenoid, motor and lamp

driver.

PACKAGE DIMENSIONS

in millimeters

4.0

26.8 MAX.

FEATURES

• 4 V driving is possible

• Large Current and Low On-state Resistance

I^{D (DC)}= ±2.0 A

RDS (on) 1 ≤ 0.17 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 1 A)

R^{DS (on)}1 ≤ 0.25 Ω MAX. (VGS = 4 V, ID = 1 A)

• Low Input Capacitance Ciss = 220 pF TYP.

1.4

0.5±0.1

2.54

1.4 0.6±0.1

1 2 3 4 5 6 7 8 910

ORDERING INFORMATION

Type Number

Package

CONNECTION DIAGRAM

µPA1520BH

10 Pin SIP

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Note 1

Drain to Source Voltage VDSS

±20

±2.0

±8.0

Note 2

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

VGSS

ID^(DC)

A/unit

Note 3

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

ID(pulse)

ELECTRODE CONNECTION

2, 4, 6, 8 : Gate

Note 4

PT1

Note 5

3, 5, 7, 9 : Drain

P^T2

3.5

1, 10

: Source

TCH

Tstg

150

°C

–55 to +150 °C

Notes 1. V^GS= 0

2. VDS = 0

4. 4 circuits, TC = 25 °C

3. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

3. 4 circuits, T^A= 25 °C

The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When

this device is actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated

voltage may be applied to this device.

Document No. G10598EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published December 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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与UPA1520BH相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1520BH-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.25ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal
UPA1520H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| SIP
UPA1522	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYP
UPA1522H	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYP
UPA1522H-AZ	RENESAS	获取价格	2A, 60V, 0.25ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SIP-10
UPA1523	NEC	获取价格	P-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING INDUSTRIAL USE
UPA1523B	NEC	获取价格	P-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING INDUSTRIAL USE
UPA1523BH	NEC	获取价格	P-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING INDUSTRIAL USE
UPA1523BH-AZ	RENESAS	获取价格	2A, 60V, 1.3ohm, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FULL PACK, SIP-10
UPA1523BH-AZ	NEC	获取价格	暂无描述

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