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UPA1522H

更新时间: 2024-11-16 12:47:15
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 303K
描述
N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE 

UPA1522H 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T10针数:10
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.34
配置:2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):2 A最大漏源导通电阻:0.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T10
JESD-609代码:e0元件数量:4
端子数量:10工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):8 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UPA1522H 数据手册

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暂无描述
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 80V, 1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-ox