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UPA1552H

更新时间: 2024-01-06 17:43:33
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 151K
描述
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR ARRAY (FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET ARRAY)

UPA1552H 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T10
针数:10Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.76Is Samacsys:N
配置:COMMON SOURCE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:0.35 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T10
元件数量:4端子数量:10
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UPA1552H 数据手册

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