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UPA1560H-AZ

更新时间： 2024-10-30 20:56:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	73K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 120V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-10

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UPA1560H-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T10
针数：	10	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.83	雪崩能效等级（Eas）：	0.9 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	120 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T10	元件数量：	2
端子数量：	10	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1560H-AZ 数据手册

DATA SHEET

COMPOUND FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

µ PA1560

N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY

SWITCHING

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

The µPA1560 is N-Channel PowerMOS FET Array

that built in 4 circuits designed for solenoid, motor and

lamp driver.

4.0

26.8 MAX.

FEATURES

• Full mold package with 4 circuits

• 4 V driving is possible

• Low on-state resistance

1.4

0.5±0.1

2.54

R^DS(on)1= 165 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 1.5 A)

R^DS(on)2= 200 mΩ MAX. (V^GS= 4 V, I^D= 1.5 A)

• Low input capacitance

1.4 0.6±0.1

C^iss= 600 pF TYP.

1 2 3 4 5 6 7 8 910

ORDERING INFORMATION

EQUIVALENT CIRCUIT

PART NUMBER

PACKAGE

10-pin SIP

µ PA1560H

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS(AC)

V^GSS(DC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

120

±20

+ 20, –10

±3.0

±12

ELECTRODE CONNECTION

2, 4, 6, 8 : Gate

3, 5, 7, 9 : Drain

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

1, 10

: Source

P^T2

3.7

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to + 150 °C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

3.0

0.9

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25 °C, V^DD= 60 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V★ 0V

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When

this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated

voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published April 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

G14283EJ2V0DS00 (2nd edition)

1999

The mark ★ shows major revised points.

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1570	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
UPA1570H	NEC	获取价格	FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
UPA1572B	NEC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING INDUSTRIAL USE
UPA1572BH	NEC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING INDUSTRIAL USE
UPA1572H	NEC	获取价格	FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET ARRAY
UPA1576	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE
UPA1576H	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE
UPA1576H-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal
UPA1600	NEC	获取价格	MONOLITHIC POWER MOSFET ARRAY
UPA1600CX	NEC	获取价格	MONOLITHIC POWER MOSFET ARRAY

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