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UPA1576H-AZ

更新时间: 2024-09-13 13:15:11
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日电电子 - NEC 开关
页数 文件大小 规格书
7页 318K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-10

UPA1576H-AZ 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T10
针数:10Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.38配置:2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:1.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T10元件数量:4
端子数量:10工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UPA1576H-AZ 数据手册

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