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UPA1552BH-AZ

更新时间： 2024-01-06 13:53:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	86K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.24ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-10

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UPA1552BH-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10
针数：	10	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.38	配置：	2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T10	元件数量：	4
端子数量：	10	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1552BH-AZ 数据手册

DATA SHEET

COMPOUND FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

µPA1552B

N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY

SWITCHING USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The µPA1552B is N-channel Power MOS FET Array

that built in 4 circuits designed, for solenoid, motor and

lamp driver.

in millimeters

4.0

26.8 MAX.

FEATURES

•

4 V driving is possible

Large Current and Low On-state Resistance

I^D(DC)= ±5.0 A

1.4

0.5±0.1

2.54

R^DS(on)1≤ 0.18 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 3 A)

R^DS(on)2≤ 0.24 Ω MAX. (VGS = 4 V, ID = 3 A)

Low Input Capacitance Ciss = 200 pF TYP.

1.4 0.6±0.1

•

1 2 3 4 5 6 7 8 910

ORDERING INFORMATION

CONNECTION DIAGRAM

Type Number

Package

µPA1552BH

10 Pin SIP

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Note 1

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

VDSS

V^GSS

ID(DC)

±20

Note 2

ELECTRODE CONNECTION

2, 4, 6, 8 : Gate

±5.0

±20

A/unit

Note 3

3, 5, 7, 9 : Drain

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Single Avalanche Current

Single Avalanche Energy

ID(pulse)

1, 10

: Source

Note 4

P^T1

PT2

TCH

T^stg

Note 5

3.5

150

˚C

–55 to +150

5.0

˚C

Note 6

IAS

EAS

Note 6

2.5

Notes 1. VGS = 0

2. VDS = 0

3. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

5. 4 Circuits, TA = 25 ˚C

4. 4 Circuits, T = 25 ˚C

6. Starting TCH = 25 ˚C, V DD = 30 V, VGS = 20 V → 0,

RG = 25 Ω, L = 100 µH

The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this

device is actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage

may be applied to this device.

Document No. G10599EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published December 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1552H	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR ARRAY (FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET AR
UPA1556A	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYP
UPA1556AH	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYP
UPA1556AH-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.33ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
UPA1556H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| SIP
UPA1560	NEC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING INDUSTRIAL USE
UPA1560H	NEC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING INDUSTRIAL USE
UPA1560H-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 120V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
UPA1560H-AZ	RENESAS	获取价格	3A, 120V, 0.2ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SIP-10
UPA1570	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

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