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UPA1523BH-AZ

更新时间： 2024-10-14 20:27:55

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
8页	75K
描述
2A, 60V, 1.3ohm, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FULL PACK, SIP-10

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UPA1523BH-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T10	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
雪崩能效等级（Eas）：	0.4 mJ	配置：	2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	1.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T10
元件数量：	4	端子数量：	10
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1523BH-AZ 数据手册

DATA SHEET

COMPOUND FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

µPA1523B

P-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY

SWITCHING

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The µPA1523B is P-channel Power MOS FET Array that built

PACKAGE DIMENSIONS

in millimeters

in 4 circuits designed for solenoid, motor and lamp driver.

4.0

26.8 MAX.

FEATURES

•

Full Mold Package with 4 Circuits

–4 V driving is possible

Low On-state Resistance

R^DS(on)1= 0.8 Ω MAX. (@VGS = –10 V, ID = –1 A)

R^DS(on)2= 1.3 Ω MAX. (@VGS = –4 V, ID = –1 A)

Low Input Capacitance Ciss = 190 pF TYP.

1.4

0.5 ± 0.1

2.54

1.4 0.6 ± 0.1

•

1 2 3 4 5 6 7 8 910

ORDERING INFORMATION

CONNECTION DIAGRAM

Type Number

Package

µPA1523BH

10 Pin SIP

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0)

Gate to Source Voltage (VDS = 0)

Drain Current (DC)

VDSS

–60

VGSS(AC)

I^D(DC)

ELECTRODE CONNECTION

2, 4, 6, 8: Gate

3, 5, 7, 9: Drain

2.0

A/unit

Drain Current (pulse)

ID(pulse) *1

PT1 *2

P^T2*3

TCH

8.0

1, 10

: Source

Total Power Dissipation

Channel Temperature

3.5

150

˚C

Storage Temperature

Tstg

–55 to + 150 ˚C

Single Avalanche Current

Single Avalanche Energy

I^AS*4

EAS *4

–2.0

0.4

*1 PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

*3 4 Circuits, TA = 25 ˚C

*2 4 Circuits, TC = 25 ˚C

*4 Starting TCH = 25 ˚C, VDD = –30 V, VGS = –20 V → 0, RG = 25 Ω,

L = 100 µH

Build-in Gate Diodes are for protection from static electricity in handing.

In case high voltage over V^GSSis applied, please append gate protection circuits.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. G11331EJ1V0DS00

Date Published May 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7 8

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与UPA1523BH-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1523H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| SIP
UPA1524	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE
UPA1524H	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE
UPA1524H-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 80V, 1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-ox
UPA1526	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE
UPA1526H	NEC	获取价格	N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE
UPA1526H-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.4ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal
UPA1527	NEC	获取价格	P-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE
UPA1527H	NEC	获取价格	P-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE
UPA1550	NEC	获取价格	COMPOUND FIELD EFFECT TRANSISTOR ARRAY

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