5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T10 | 针数： | 10 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.36 |
| 配置： | 2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T10 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 10 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA1524H-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 80V, 1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-ox |
|
| UPA1526 | NEC |
获取价格 |
N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE |
|
| UPA1526H | NEC |
获取价格 |
N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE |
|
| UPA1526H-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.4ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| UPA1527 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE |
|
| UPA1527H | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE |
|
| UPA1550 | NEC |
获取价格 |
COMPOUND FIELD EFFECT TRANSISTOR ARRAY |
|
| UPA1550H | NEC |
获取价格 |
COMPOUND FIELD EFFECT TRANSISTOR ARRAY |
|
| UPA1550H-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UPA1552 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING USE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
