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UPA1478H-AZ

更新时间： 2024-11-24 20:09:23
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 58K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

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UPA1478H-AZ 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SIP
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T10针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.46
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：35 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PSIP-T10元件数量：4
端子数量：10封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UPA1478H-AZ 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR ARRAY  
µPA1478  
NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY  
LOW SPEED SWITCHING USE (DARLINGTON TRANSISTOR)  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSION  
(in m illim eters)  
The µPA1478 is NPN silicon epitaxial Darlington  
Power Transistor Array that built in Surge Absorber and  
4 circuits designed for driving solenoid, relay, lam p and  
so on.  
26.8 MAX.  
4.0  
FEATURES  
•
•
•
Surge Absorber (Zener Diode) built in.  
Easy m ount by 0.1 inch of term inal interval.  
High hFE for Darlington Transistor.  
1.4  
0.5 ±0.1  
2.54  
1.4 0.6 ±0.1  
ORDERING INFORMATION  
Part Num ber  
Package  
Quality Grade  
Standard  
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  
µPA1478H  
10 Pin SIP  
CONNECTION DIAGRAM  
Please refer to "Quality grade on NEC Sem iconductor Devices"  
(Docum ent num ber IEI-1209) published by NEC Corporation to  
know the specification of quality grade on the devices and its  
recom m ended applications.  
3
5
7
9
2
1
4
6
8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
10  
Collector to Base Voltage  
VCBO  
31 ±4  
31 ±4  
7
V
V
Collector to Em itter Voltage VCEO  
(C)  
Em itter to Base Voltage  
Surge Sustaining Energy  
Collector Current (DC)  
Collector Current (pulse)  
Total Power Dissipation  
Total Power Dissipation  
J unction Tem perature  
Storage Tem perature  
VEBO  
V
ECEO (SUS)  
IC(DC)  
40  
m J /unit  
A/unit  
A/unit  
W
PIN No.  
±2  
2, 4, 6, 8: Base (B)  
3, 5, 7, 9: Collector (C)  
(B)  
IC(pulse)*  
PT1**  
PT2***  
TJ  
±4  
1, 10  
: Emitter (E)  
3.5  
28  
.
.
R1 = 10 kΩ  
R2 = 500 Ω  
.
R1  
R2  
W
.
150  
˚C  
(E)  
Tstg  
–55 to +150 ˚C  
* PW ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 10 %  
** 4 Circuits, Ta = 25 ˚C  
*** 4 Circuits, Tc = 25 ˚C  
The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.  
Document No. IC-3566  
(O.D. No. IC-6634)  
Date Published November 1994  
Printed in Japan  
P
1994  
©
123456

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