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UPA1456H

更新时间： 2024-11-23 22:41:43

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管达林顿晶体管开关
页数	文件大小	规格书
6页	57K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE

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UPA1456H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIP	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10
针数：	10	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.46	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-30 代码：	R-PSIP-T10
JESD-609代码：	e0	元件数量：	4
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA1456H 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR ARRAY

µPA1456

NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY

LOW SPEED SWITCHING USE (DARLINGTON TRANSISTOR)

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSION

(in m illim eters)

The µPA1456 is NPN silicon epitaxial Darlington

Power Transistor Array that built in 4 circuits designed

for driving solenoid, relay, lam p and so on.

26.8 MAX.

4.0

FEATURES

•

Easy m ount by 0.1 inch of term inal interval.

High hFE for Darlington Transistor.

ORDERING INFORMATION

1.4

0.5 ±0.1

2.54

Part Num ber

Package

Quality Grade

Standard

1.4 0.6 ±0.1

µPA1456H

10 Pin SIP

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Please refer to "Quality grade on NEC Sem iconductor Devices"

(Docum ent num ber IEI-1209) published by NEC Corporation to

know the specification of quality grade on the devices and its

recom m ended applications.

CONNECTION DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (pulse)

Base Current (DC)

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

150

100

±5

A/unit

(C)

I^C(pulse)* ±10

I^B(DC)

P^T1**

P^T2***

T^j

0.5

3.5

PIN No.

2, 4, 6, 8: Base (B)

3, 5, 7, 9: Collector (C)

Total Power Dissipation

J unction Tem perature

Storage Tem perature

(B)

1, 10

: Emitter (E)

150

˚C

R¹= 3.0 kΩ

R²= 300 Ω

R¹

T^stg–55 to +150 ˚C

* PW ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 10 %

** 4 Circuits, T^a= 25 ˚C

(E)

*** 4 Circuits, T^c= 25 ˚C

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. IC-3521

(O. D. No. IC-6340)

Date Published September 1994

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6

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与UPA1456H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1456H-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UPA1457H	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING(DARLINGTON)
UPA1458	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1458H	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1476	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1476H	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1478	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1478H	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1478H-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 1
UPA1500	NEC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING USE

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