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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UMG11N | ROHM |
获取价格 |
Emitter common (dual digital transistors) |
|
| UMG11N | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
50V,100mA,NPN Bipolar Digital Transistor |
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| UMG11NTL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, |
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| UMG11NTR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-88A, |
|
| UMG11TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, |
|
| UMG11TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
| UMG1N | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
| UMG1NTL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
| UMG1NTR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, UMT5, |
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| UMG1TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
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