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UMG2N

更新时间： 2024-01-14 07:42:53

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体数字晶体管
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1页	354K
描述
DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ NPN)

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UMG2N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-88A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	1.68
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	68	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3/e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN/TIN COPPER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

UMG2N 数据手册

UMG2N

DIGITAL TRANSISTOR (NPN+NPN)

SOT-353

Features

Two DTC144E transistors are built-in a package.

(3)

(2)

(1)

R =47kΩ

R²=47kΩ

DTr2

DTr1

(4)

(5)/(6)

MARKING: G2

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

Parameter

Supply voltage

Input voltage

Symbol

V_CC

V_IN

Limits

Unit

-10 to+40

I_O

℃

Output current

I_C(Max.)

P_C

100

Power dissipation

150

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

-55 to+ 150

℃

Electrical characteristics (Ta=25℃)

Parameter

Symbol

V_I(off)

V_I(on)

V_O(on)

I_I

Min.

Typ

Max.

Unit

Conditions

0.5

V_CC=5V ,I_O=100μA

V_O=0.3V ,I_O=2mA

I_O/I_I=10mA/0.5mA

V_I=5V

Input voltage

Output voltage

Input current

0.3

0.18

0.5

μA

Output current

I_O(off)

G_I

V_CC=50V,V_I=0

V_O=5V,I_O=5mA

DC current gain

Input resistance

Resistance ratio

Transition frequency

32.9

0.8

R₁

61.1

1.2

KΩ

R₂/R₁

f_T

250

MHz

V_CE=10V ,I_E=-5mA,f=100MHz

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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