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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.53 | 其他特性： | DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UMG1NTL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
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| UMG1NTR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, UMT5, |
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| UMG1TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
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| UMG1TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, |
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| UMG2 | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-25VAR |
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| UMG2N | HTSEMI |
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DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ NPN) |
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| UMG2N | ROHM |
获取价格 |
NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
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| UMG2N | CJ |
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SOT-353 |
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| UMG2NTL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
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| UMG2NTR | ROHM |
获取价格 |
NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
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