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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-88A |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | Factory Lead Time： | 13 weeks |
| 风险等级： | 1.75 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UMG1TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
| UMG1TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, |
|
| UMG2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-25VAR |
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| UMG2N | HTSEMI |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ NPN) |
|
| UMG2N | ROHM |
获取价格 |
NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
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| UMG2N | CJ |
获取价格 |
SOT-353 |
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| UMG2NTL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
| UMG2NTR | ROHM |
获取价格 |
NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
|
| UMG2TL | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UMG3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-25VAR |
|
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