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UD4P20G-S08-R

更新时间： 2024-11-18 07:09:11

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
4A, 20V DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET

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UD4P20G-S08-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UD4P20G-S08-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UD4P20

Preliminary

Power MOSFET

4A, 20V DUAL P-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC UD4P20 uses advanced technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is manufacturing reproducible. The UTC

UD4P20 is suitable for applications, such as battery management

in nomadic equipment and power management in cellular phone.

FEATURES

* R_DS(ON): 0.07Ω (TYP.)

* Low on-resistance

* Rugged avalanche characteristic

* Easy automated surface mount assembly with standard outline

* Low threshold drive

SYMBOL

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UD4P20L-S08-R

UD4P20L-S08-T

UD4P20G-S08-R

UD4P20G-S08-T

SOP-8

Tape Reel

Tube

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R502-345.c

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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