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UD606L-TN5-R

更新时间： 2024-01-29 09:26:10

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL)

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UD606L-TN5-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏源导通电阻：	0.033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G5	元件数量：	2
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UD606L-TN5-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UD606

Power MOSFET

DUAL ENHANCEMENT MODE

(N-CHANNEL/P-CHANNEL)

DESCRIPTION

The UD606 can provide excellent R_DS(ON)and low gate

charge by using advanced trench technology MOSFETs. The

UD606 may be used in H-bridge, inverters and other applications.

TO-252-5

FEATURES

* N-Channel: 40V/8A

_DS(ON)= 33mΩ @ V_GS=10V

_DS(ON)= 47mΩ @ V_GS= 4.5V

* P-Channel: -40V/-8A

*Pb-free plating product number: UD606L

_DS(ON)= 50mΩ @ V_GS= -10V

_DS(ON)= 70mΩ @ V_GS= -4.5V

* Super high dense cell design

* Reliable and rugged

SYMBOL

(3)

D1/D2

(5)

(2)

(4)

(1)

N-Channel

P-Channel

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Normal

Lead Free Plating

UD606L-TN5-R

UD606L-TN5-T

UD606-TN5-R

UD606-TN5-T

TO-252-5

G1 D1/D2

Tape Reel

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 9

QW-R502-169.A

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UD606L-TN5-T	UTC	DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL)	获取价格
UD606-TN5-R	UTC	DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL)	获取价格
UD606-TN5-T	UTC	DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL)	获取价格
UD61256	ETC	256K x 1 DRAM	获取价格
UD61256DC07	ETC	256K x 1 DRAM	获取价格
UD61256DC08	ETC	256K x 1 DRAM	获取价格