是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP18,.3 |
针数: | 18 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.91 | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 23.4 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP18,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 256 | 座面最大高度: | 5.1 mm |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UD61464DC08 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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UD61466 | ZMD |
获取价格 |
64K x 4 DRAM |
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UD61466DC07 | ZMD |
获取价格 |
64K x 4 DRAM |
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UD61466DC08 | ZMD |
获取价格 |
64K x 4 DRAM |
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UD6604-H | UTC |
获取价格 |
complementary |
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UD6KB05 | MCC |
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6 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts |
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UD6KB10 | MCC |
获取价格 |
6 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts |
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UD6KB100 | MCC |
获取价格 |
6 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts |
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UD6KB20 | MCC |
获取价格 |
6 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts |
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UD6KB40 | MCC |
获取价格 |
6 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts |
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