是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G5 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
配置: | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏源导通电阻: | 0.033 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G5 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UD606-TN5-R | UTC |
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DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) | |
UD606-TN5-T | UTC |
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DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) | |
UD61256 | ETC |
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256K x 1 DRAM | |
UD61256DC07 | ETC |
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256K x 1 DRAM | |
UD61256DC08 | ETC |
获取价格 |
256K x 1 DRAM | |
UD61256JC07 | ETC |
获取价格 |
256K x 1 DRAM | |
UD61256JC08 | ETC |
获取价格 |
256K x 1 DRAM | |
UD61464DC07 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
UD61464DC08 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM | |
UD61466 | ZMD |
获取价格 |
64K x 4 DRAM |