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UD606L-TN5-T

更新时间: 2024-11-18 07:09:11
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友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 385K
描述
DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL)

UD606L-TN5-T 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G5针数:5
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.66Is Samacsys:N
配置:COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏源导通电阻:0.033 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G5元件数量:2
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UD606L-TN5-T 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UD606  
Power MOSFET  
DUAL ENHANCEMENT MODE  
(N-CHANNEL/P-CHANNEL)  
„
DESCRIPTION  
1
The UD606 can provide excellent RDS(ON) and low gate  
charge by using advanced trench technology MOSFETs. The  
UD606 may be used in H-bridge, inverters and other applications.  
TO-252-5  
„
FEATURES  
* N-Channel: 40V/8A  
R
R
DS(ON) = 33m@ VGS =10V  
DS(ON) = 47m@ VGS= 4.5V  
* P-Channel: -40V/-8A  
*Pb-free plating product number: UD606L  
R
R
DS(ON) = 50m@ VGS= -10V  
DS(ON) = 70m@ VGS= -4.5V  
* Super high dense cell design  
* Reliable and rugged  
„
SYMBOL  
(3)  
D1/D2  
(5)  
G2  
(2)  
G1  
S2  
(4)  
S1  
(1)  
N-Channel  
P-Channel  
„
ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free Plating  
UD606L-TN5-R  
UD606L-TN5-T  
1
2
3
4
5
UD606-TN5-R  
UD606-TN5-T  
TO-252-5  
TO-252-5  
S1  
S1  
G1 D1/D2  
G1 D1/D2  
S2  
S2  
G2  
G2  
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 9  
QW-R502-169.A  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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