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TPCA8104(TE12LQ)

更新时间： 2024-11-25 19:55:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 217K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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TPCA8104(TE12LQ) 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：116 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCA8104(TE12LQ) 数据手册

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TPCA8104  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS III)  
TPCA8104  
High-Side Switching Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
0.4±0.1  
1.27  
0.5±0.1  
0.05  
M A  
5
8
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON-resistance: R = 11 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
0.15±0.05  
High forward transfer admittance:|Y | = 50 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= -10 μA (max) (V  
= -60 V)  
DSS  
DS  
4
0.595  
A
1
Enhancement mode: V = -0.8 to -2.0 V (V  
= -10 V, I = -1 mA)  
D
th  
DS  
5.0±0.2  
0.95±0.05  
0.166±0.05  
0.05  
S
S
1.1±0.2  
1
4
4.25±0.2  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
8
5
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
0.8±0.1  
V
-60  
-60  
±20  
-40  
-120  
45  
V
V
V
DSS  
1, 2, 3: Source  
5, 6, 7, 8: Drain  
4: Gate  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
JEDEC  
JEITA  
―
―
DC  
Drain current  
Pulse  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
A
I
DP  
TOSHIBA  
2-5Q1A  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Drain power dissipation (t = 10 s)  
P
D
D
Weight: 0.080 g (typ.)  
P
2.8  
1.6  
W
(Note 2a)  
Drain power dissipation (t = 10 s)  
(Note 2b)  
Circuit Configuration  
P
D
8
7
6
5
Single-pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
116  
-40  
4.5  
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
mJ  
AR  
(Tc = 25°C) (Note 4)  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
1
2
3
4
Note: For Notes 1 to 4, see the next page.  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2010-01-05  
1234567

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