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TPCA8106

更新时间： 2024-11-25 07:04:43

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管场效应晶体管
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7页	210K
描述
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅤ)

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TPCA8106 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.0078 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCA8106 数据手册

TPCA8106

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅤ)

TPCA8106

Lithium Ion Battery Applications

Unit: mm

Notebook PC Applications

0.4 ± 0.1

1.27

0.05 M A

Portable Equipment Applications

0.15 ± 0.05

•

Small footprint due to small and thin package

Low drain-source ON-resistance: R = 2.9 mΩ (typ.)

DS (ON)

0.595

(V = −10V）

•

High forward transfer admittance: |Y | = 79S (typ.)

Low leakage current: I

= −10 μA (max) (V

= −30 V)

DSS

5.0 ± 0.2

Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V

= −10 V, I = −1 mA)

0.05 S

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

4.25 ± 0.2

−30

±20

−40

−120

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

(Note 1)

1,2,3: SOURCE 4: GATE

5,6,7,8: DRAIN

Drain current

Pulsed (Note 1)

Drain power dissipation

(Tc=25℃)

(t = 10 s)

(Note 2a)

(t = 10 s)

(Note 2b)

JEDEC

JEITA

⎯

2.8

1.6

TOSHIBA

2-5Q1A

Drain power dissipation

Weight: 0.069 g (typ.)

Single pulse avalanche energy

(Note 3)

208

−40

4.5

Circuit Configuration

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

(Tc = 25℃) (Note 4)

150

°C

Channel temperature

−55 to 150

Storage temperature range

stg

Note: For Note 1 to 4, please refer to the next page.

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba

Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual

reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2010-01-14

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