TPCA8109

更新时间： 2024-11-25 08:40:07

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅥ)

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TPCA8109 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-F5
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPCA8109 数据手册

TPCA8109

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅥ)

TPCA8109

Lithium Ion Battery Applications

Unit: mm

Power Management Switch Applications

0.4 ± 0.1

1.27

0.05 M A

•

Small footprint due to small and thin package

Low drain-source ON-resistance: R = 7 mΩ (typ.)

0.15 ± 0.05

DS (ON)

Low leakage current: I

= −10 μA (max) (V

= −30 V)

DSS

0.595

Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V

= −10 V, I = −0.5mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

5.0 ± 0.2

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

0.05 S

−30

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

−25/+20

−24

GSS

4.25 ± 0.2

(Note 1)

Drain current

Pulsed (Note 1)

−72

Drain power dissipation

(Tc=25°C)

(t = 10 s)

(Note 2a)

(t = 10 s)

(Note 2b)

2.8

1.6

1,2,3：SOURCE

4：GATE

5,6,7,8：DRAIN

Drain power dissipation

JEDEC

JEITA

―

Single pulse avalanche energy

(Note 3)

―

TOSHIBA

2-5Q1A

Avalanche current

−24

150

°C

Channel temperature

Storage temperature range

Weight: 0.076 g (typ.)

−55 to 150

stg

Note: For Notes 1 to 3, refer to the next page.

Circuit Configuration

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

absolute maximum ratings. Please design the appropriate

reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability

Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and

Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with

caution.

2009-12-03

12 3 4 5 6 7

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