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TPCA8123,L1Q(O

更新时间： 2024-11-25 19:25:03

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	245K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0149ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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TPCA8123,L1Q(O 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	206 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.0149 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-F5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPCA8123,L1Q(O 数据手册

TPCA8123

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

TPCA8123

1. Applications

•

Motor Drivers

•

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) Small, thin package

(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.5 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

(3) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -60 V)

(4) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1.0 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1,2,3: Source

4: Gate

5, 6, 7, 8: Drain

SOP Advance

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

-60

-20/+10

-50

(Note 1)

IDP

-150

(Tc = 25)

(t = 10 s)

(Note 2)

(Note 3)

(Note 4)

3.3

1.9

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

EAS

IAR

206

-50

Channel temperature

Storage temperature

(Note 5)

Tch

Tstg

175



-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2013-08-02

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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