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TPCA8106(TE12L

更新时间： 2024-11-25 15:54:55
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 228K
描述
Power Field-Effect Transistor

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TPCA8106(TE12L 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Base Number Matches：1

TPCA8106(TE12L 数据手册

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TPCA8106  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅤ)  
TPCA8106  
Lithium Ion Battery Applications  
Unit: mm  
Notebook PC Applications  
0.4 ± 0.1  
1.27  
8
0.05 M A  
Portable Equipment Applications  
5
0.15 ± 0.05  
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON-resistance: R = 2.9 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
4
0.595  
A
1
(V = −10V）  
GS  
•
•
•
High forward transfer admittance: |Y | = 79S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= −10 μA (max) (V  
= −30 V)  
DSS  
DS  
5.0 ± 0.2  
Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V  
= −10 V, I = −1 mA)  
D
th  
DS  
0.05 S  
S
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
4
1
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
4.25 ± 0.2  
V
−30  
−30  
±20  
−40  
−120  
45  
V
V
V
DSS  
V
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
8
5
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
1,2,3: SOURCE 4: GATE  
5,6,7,8: DRAIN  
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(Tc=25℃)  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
W
W
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
D
D
P
2.8  
1.6  
TOSHIBA  
2-5Q1A  
Drain power dissipation  
P
W
D
Weight: 0.069 g (typ.)  
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
208  
−40  
4.5  
mJ  
A
AS  
Circuit Configuration  
Avalanche current  
I
AR  
8
7
6
5
Repetitive avalanche energy  
E
mJ  
AR  
(Tc = 25℃) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For Note 1 to 4, please refer to the next page.  
1
2
3
4
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba  
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
2010-01-14  
1
1234567

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