TPC8102

更新时间： 2024-01-25 05:50:51

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (MOSVI)

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TPC8102 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	2-6J1B, 8 PIN
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	47 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	2.4 W	最大功率耗散 (Abs)：	2.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPC8102 数据手册

TPC8102

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (π−MOSVI)

TPC8102

Lithium Ion Battery Applications

Unit: mm

Notebook PCs

Portable Equipment Applications

ꢀ Small footprint due to small and thin package

ꢀ Low drain−source ON resistance : R

= 34 mΩ (typ.)

DS (ON)

ꢀ High forward transfer admittance : |Y | = 9 S (typ.)

ꢀ Low leakage current : I

= −10 µA (max) (V

= −30 V)

DSS

= −10 V, ID = −1 mA)

ꢀ Enhancement−mode : V = −0.8~ −2.0 V (V

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

−30

±20

−6

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

(Note 1)

Drain current

JEDEC

JEITA

―

Pulse (Note 1)

−24

Drain power dissipation

(t = 10 s)

(Note 2a)

2.4

1.0

TOSHIBA

2-6J1B

(t = 10 s)

(Note 2b)

Weight: 0.080 g (typ.)

Single pulse avalanche energy

(Note 3)

−6

Avalanche current

Circuit Configuration

Repetitive avalanche energy

0.24

(Note 2a) (Note 4)

150

°C

Channel temperature

−55 to 150

Storage temperature range

stg

Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3) and (Note 4), please refer to the

next page.

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with

caution.

2002-01-18

12 3 4 5 6 7

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TPC8102 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7204TR	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF7204	INFINEON	功能相似	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-5.3A)
IRF720	INFINEON	功能相似	TRANSISTORS N-CHANNEL

与TPC8102相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPC8103	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
TPC8103(TE12L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,11A I(D),SO
TPC8104-H	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (High Speed U−MOSII)
TPC8105-H	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (High Speed U−MOSII)
TPC8106-H	TOSHIBA	获取价格	SILICON P CHANNEL MOS TYPE
TPC8107	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPC8107	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
TPC8107_06	TOSHIBA	获取价格	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
TPC8108	TOSHIBA	获取价格	Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPC8109	TOSHIBA	获取价格	FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE

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