TPC8107

更新时间： 2024-02-25 13:16:03

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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7页	220K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPC8107 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, 2-6J1B, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.015 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPC8107 数据手册

TPC8107

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)

TPC8107

Lithium Ion Battery Applications

Notebook PC Applications

Unit: mm

Portable Equipment Applications

Small footprint due to small and thin package

Low drain-source ON resistance: R = 5.5 mΩ (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance: |Y | = 31 S (typ.)

Low leakage current: I

= −10 µA (max) (V

Enhancement-mode: V = −0.8 to −2.0 V (V

= −30 V)

= −10 V, I = −1 mA)

DSS

th DS

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

-30

±20

-13

-52

Drain-source voltage

DSS

Drain-gate voltage (R

= 20 kW)

DGR

Gate-source voltage

GSS

(Note 1)

Drain current

JEDEC

JEITA

―

Pulse (Note 1)

Drain power dissipation

(t = 10 s)

(Note 2a)

(t = 10 s)

(Note 2b)

1.9

1.0

TOSHIBA

2-6J1B

Weight: 0.080 g (typ.)

Single pulse avalanche energy

(Note 3)

219

-13

0.19

Circuit Configuration

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

(Note 2a) (Note 4)

150

°C

Channel temperature

-55 to 150

Storage temperature range

stg

Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3) and (Note 4), please refer to the

next page.

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with

caution.

2003-02-20

12 3 4 5 6 7

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TPC8107 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4403CDY-T1-GE3	VISHAY	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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