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TPC8108

更新时间： 2024-01-05 10:51:48
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 344K
描述
Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPC8108 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：2-6J1B, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.87Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.9 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC8108 数据手册

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TPC8108  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)  
TPC8108  
Lithium Ion Battery Applications  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance: R = 9.5 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 24 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= −10 µA (max) (V  
Enhancement-mode: V = −0.8 to −2.0 V (V  
= −30 V)  
DS  
= −10 V, I = −1 mA)  
DSS  
th DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−30  
−30  
±20  
−11  
−44  
V
V
V
Drain-source voltage  
DSS  
V
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
JEDEC  
JEITA  
―
―
Pulse (Note 1)  
I
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
1.9  
1.0  
W
W
D
D
TOSHIBA  
2-6J1B  
Weight: 0.080 g (typ.)  
P
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
157  
−11  
0.19  
mJ  
A
AS  
Circuit Configuration  
Avalanche current  
I
AR  
8
1
7
6
3
5
Repetitive avalanche energy  
E
mJ  
AR  
(Note 2a) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3) and (Note 4), please refer to the  
next page.  
2
4
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
1
2002-03-12  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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