TPC8105-H

更新时间： 2024-01-17 18:13:58

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (High Speed U−MOSII)

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TPC8105-H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	2-6J1B, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：	63.7 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.4 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPC8105-H 数据手册

TPC8105-H

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (High Speed U−MOSII)

TPC8105−H

High Speed and High Efficiency DC−DC Converters

Lithium Ion Battery Applications

Notebook PCs

Unit: mm

Portable Equipment Applications

ꢀ Small footprint due to small and thin package

ꢀ High speed switching

ꢀ Small gate charge

ꢀ Low drain−source ON resistance : R

DS (ON)

ꢀ High forward transfer admittance : |Y | = 12 S (typ.)

ꢀ Low leakage current : I

ꢀ Enhancement−mode : V = −0.8~−2.0 V (V

: Qg = 32 nC (typ.)

= 20 mΩ (typ.)

= −10 µA (max) (V

= −30 V)

DSS

= −10 V, I = −1 mA)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

−30

±20

−7

DSS

Drain-gate voltage (R

= 20 kΩ)

DGR

JEDEC

JEITA

―

Gate-source voltage

GSS

(Note 1)

Drain current

TOSHIBA

2-6J1B

Pulse (Note 1)

−28

Weight: 0.080 g (typ.)

Drain power dissipation

(t = 10 s)

(Note 2a)

2.4

1.0

(t = 10 s)

(Note 2b)

Circuit Configuration

Single pulse avalanche energy

(Note 3)

63.7

−7

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

0.24

(Note 2a) (Note 4)

150

°C

Channel temperature

−55 to 150

Storage temperature range

stg

Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3) and (Note 4), please refer to the

next page.

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with

caution.

2002-01-18

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPC8106-H	TOSHIBA	获取价格	SILICON P CHANNEL MOS TYPE
TPC8107	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPC8107	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
TPC8107_06	TOSHIBA	获取价格	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
TPC8108	TOSHIBA	获取价格	Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
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TPC8109_06	TOSHIBA	获取价格	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
TPC8110	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)
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