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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.13 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 2.5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7204TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7204PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7204 | INFINEON |
类似代替 |
Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-5.3A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7204TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7205 | KEXIN |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7205 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7205 (KRF7205) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
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| IRF7205PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7205PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IRF7205TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRF7205TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Adavanced Process Technology |
|
| IRF7205TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRF7207 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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