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TPC8062-H(TE12L)

更新时间： 2024-11-16 20:53:23

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东芝 - TOSHIBA		/
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9页	223K
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,18A I(D),SO

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TPC8062-H(TE12L) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.9 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

TPC8062-H(TE12L) 数据手册

TPC8062-H

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

TPC8062-H

1. Applications

•

High-Efficiency DC-DC Converters

Notebook PCs

Mobile Handsets

2. Features

(1) Small footprint due to a small and thin package

(2) High-speed switching

(3) Small gate change: QSW = 7.4 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.6 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 30 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1, 2, 3: Source

4: Gate

5, 6, 7, 8: Drain

SOP-8

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

±20

(Note 1)

(Note 2)

(Note 3)

(Note 4)

IDP

(t = 10 s)

1.9

Power dissipation

1.0

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

EAS

IAR

210

Channel temperature

Storage temperature

Tch

Tstg

150



-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2010-06-10

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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