5秒后页面跳转
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0089 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 140 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPC8063-H(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,17A I(D),SO |
|
| TPC8063-H(TE12L,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,17A I(D),SO |
|
| TPC8064-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 16000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, THIN, 2-6J |
|
| TPC8065-H | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H) |
|
| TPC8066-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 11000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, THIN, 2-5R |
|
| TPC8066-H(TE12L,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,11A I(D),SO |
|
| TPC8067-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,9A I(D),SO |
|
| TPC8067-H(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,9A I(D),SO |
|
| TPC8073 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS) |
|
| TPC8074 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS) |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
