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TPC8075

更新时间： 2024-02-20 01:07:52
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 234K
描述
TRANSISTOR 18000 mA, 33 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, THIN, 2-6J1S, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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TPC8075 技术参数

生命周期：End Of Life零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：33 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.0033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC8075 数据手册

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TPC8075  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)  
TPC8075  
1. Applications  
•
•
•
Lithium-Ion Secondary Batteries  
Notebook PCs  
Mobile Equipments  
2. Features  
(1) Small footprint due to a small and thin package  
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.1 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)  
(3) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 33 V)  
(4) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1, 2, 3: Source  
4: Gate  
5, 6, 7, 8: Drain  
SOP-8  
4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25unless otherwise specified)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (pulsed)  
Power dissipation  
VDSS  
VGSS  
ID  
33  
±20  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 3)  
(Note 4)  
18  
A
IDP  
72  
(t = 10 s)  
(t = 10 s)  
PD  
1.9  
W
W
mJ  
A
Power dissipation  
PD  
1.0  
Single-pulse avalanche energy  
Avalanche current  
EAS  
IAR  
183  
18  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
Tstg  
150  
-55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
2011-03-10  
Rev.1.0  
1
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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