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| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.019 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPC8066-H(TE12L,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,11A I(D),SO |
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| TPC8067-H | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,9A I(D),SO |
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| TPC8067-H(TE12L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,9A I(D),SO |
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| TPC8073 | TOSHIBA |
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MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS) |
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| TPC8074 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS) |
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| TPC8075 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 18000 mA, 33 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, THIN, 2-6J |
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| TPC8075(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,33V V(BR)DSS,18A I(D),SO |
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| TPC8075(TE12L,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,33V V(BR)DSS,18A I(D),SO |
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| TPC8076 | TOSHIBA |
获取价格 |
Lithium-Ion Secondary Batteries Notebook PCs Mobile Equipments |
|
| TPC8080 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 18000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, THIN, 2-6J |
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