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TPC8065-H

更新时间: 2024-11-02 12:33:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 262K
描述
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

TPC8065-H 技术参数

生命周期:End Of Life零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.73配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):13 A
最大漏源导通电阻:0.0147 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TPC8065-H 数据手册

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TPC8065-H  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)  
TPC8065-H  
1. Applications  
High-Efficiency DC-DC Converters  
Notebook PCs  
Mobile Handsets  
2. Features  
(1) Small, thin package  
(2) High-speed switching  
(3) Small gate charge: QSW = 4.3 nC (typ.)  
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.9 m(typ.) (VGS = 4.5 V)  
(5) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 30 V)  
(6) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1, 2, 3: Source  
4: Gate  
5, 6, 7, 8: Drain  
SOP-8  
2011-04-06  
Rev.2.0  
1

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