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TMS62256L-10NW

更新时间: 2024-10-28 15:54:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 893K
描述
IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC

TMS62256L-10NW 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.73
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.015 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

TMS62256L-10NW 数据手册

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