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TMS626412-10ABDGE

更新时间: 2024-10-28 20:59:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 2751K
描述
IC,SDRAM,2X2MX4,CMOS,TSOP,44PIN,PLASTIC

TMS626412-10ABDGE 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:6 ns最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G44内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:4
端子数量:44字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
连续突发长度:1,2,4,8最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.12 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

TMS626412-10ABDGE 数据手册

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