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TMS6264L-10DH

更新时间: 2024-10-28 19:53:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 970K
描述
IC,SRAM,8KX8,CMOS,SOP,28PIN,PLASTIC

TMS6264L-10DH 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.015 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

TMS6264L-10DH 数据手册

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