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TMS626412B-12DGE

更新时间: 2024-10-28 20:06:27
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
38页 1892K
描述
4MX4 SYNCHRONOUS DRAM, 8ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44

TMS626412B-12DGE 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.71
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:8 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.41 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TMS626412B-12DGE 数据手册

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