是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP2, TSOP50,.46,32 |
针数: | 50 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 9 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 83 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G50 | 长度: | 20.95 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 50 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP50,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | MOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS626162-12DGE | TI |
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524288 BY 16-BIT BY 2-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY | |
TMS626162-12DGER | TI |
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1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 9ns, PDSO50, TSOP-50 | |
TMS626162-15 | TI |
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TMS626162-15 | |
TMS626162-15DGE | TI |
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524288 BY 16-BIT BY 2-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY | |
TMS626162-15DGER | TI |
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1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, PDSO50, TSOP-50 | |
TMS626162A | TI |
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524288 BY 16-BIT BY 2-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY | |
TMS626162A-10DGE | TI |
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1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 7ns, PDSO50, PLASTIC, SOP-50 | |
TMS626402-10DGE | TI |
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4MX4 SYNCHRONOUS DRAM, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOPII-44 | |
TMS626402-12DGE | TI |
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4MX4 SYNCHRONOUS DRAM, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOPII-44 | |
TMS626402-12DGE | ROCHESTER |
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4MX4 SYNCHRONOUS DRAM, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOPII-44 |