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TMS626402DGE-10

更新时间: 2024-10-28 20:03:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
38页 2610K
描述
IC,SDRAM,2X2MX4,CMOS,TSOP,44PIN,PLASTIC

TMS626402DGE-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:9 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G44
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:4端子数量:44
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
连续突发长度:1,2,4,8最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.17 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

TMS626402DGE-10 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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