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TK7A90E

更新时间: 2024-11-19 14:56:55
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 227K
描述
N-ch MOSFET, 900 V, 2.0 Ω@10V, TO-220SIS, π-MOSⅧ

TK7A90E 数据手册

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TK7A90E  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)  
TK7A90E  
1. Applications  
Switching Voltage Regulators  
2. Features  
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.6 (typ.)  
(2) Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 720 V)  
(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
TO-220SIS  
Start of commercial production  
2013-12  
2014-03-04  
Rev.3.0  
1

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