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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 雪崩能效等级（Eas）： | 235 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TK7P50D | FREESCALE |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type (Ï-MOSâ ¦) |
|
| TK7P50D | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator Applications |
|
| TK7P60W | FREESCALE |
获取价格 |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOSî¯) |
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| TK7P60W | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Voltage Regulators |
|
| TK7P60W5 | TOSHIBA |
获取价格 |
Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS&# |
|
| TK7P65W | TOSHIBA |
获取价格 |
Nch 500V<VDSS≤700V, Power MOSFET |
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| TK7P65W,RQ | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK |
|
| TK7Q60W | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 600 V, 0.6 Ω@10V, IPAK, DTMOSⅣ |
|
| TK7Q65W | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 650 V, 0.8 Ω@10V, IPAK, DTMOSⅣ |
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| TK7R0E08QM | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 80 V, 0.0070 Ω@10V, TO-220, U-MO |
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