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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP137
TIP137 PDF预览

TIP137

更新时间： 2024-11-03 04:28:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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TIP137 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.21Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：70 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TIP137 数据手册

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TIP131, TIP132 (NPN),  
TIP137 (PNP)  
Preferred Devices  
Darlington Complementary  
Silicon Power Transistors  
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching  
applications.  
http://onsemi.com  
Features  
DARLINGTON 8 AMPERE  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
• High DC Current Gain −  
h
= 2500 (Typ) @ I  
= 4.0 Adc  
FE  
C
80−100 VOLTS, 70 WATTS  
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc  
V
= 80 Vdc (Min) − TIP131  
CEO(sus)  
= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137  
MARKING  
DIAGRAM  
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
V
CE(sat)  
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 4.0 Adc  
C
= 3.0 Vdc (Max) @ I = 6.0 Adc  
C
4
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors  
• Pb−Free Packages are Available*  
TO−220AB  
TIP13xG  
AYWW  
CASE 221A  
STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
TIP132  
1
2
3
TIP137  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol TIP131  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
80  
80  
100  
CEO  
V
100  
CB  
EB  
V
5.0  
TIP13x = Device Code  
Collector Current − Continuous  
Peak  
I
8.0  
12  
x
A
Y
WW  
G
= 1, 2, or 7  
C
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Base Current  
I
300  
70  
mAdc  
W
B
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
P
C
D
D
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
2.0  
W
A
Operating and Storage Junction,  
Temperature Range  
T , T  
–ꢀ65 to +ꢀ150  
_C  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Device  
Package  
Shipping  
Symbol  
Max  
Unit  
TIP131  
TO−220  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
JC  
1.78  
_C/W  
TIP131G  
TO−220  
(Pb−Free)  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
63.5  
_C/W  
TIP132  
TO−220  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
TIP132G  
TO−220  
(Pb−Free)  
TIP137  
TO−220  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
TIP137G  
TO−220  
(Pb−Free)  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 1  
TIP131/D  
1234

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TIP137 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

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