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TIP102

更新时间： 2024-09-12 22:19:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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TIP102 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.82Samacsys Description：TIP102, Darlington Transistor, NPN 8 A 100 V HFE:200, 3-Pin, TO-220
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：80 W
最大功率耗散 (Abs)：80 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：2.5 V

TIP102 数据手册

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TIP102  
TIP105 TIP107  
COMPLEMENTARY SILICON POWER  
DARLINGTON TRANSISTORS  
■
STMicroelectronics PREFERRED  
SALESTYPES  
■
■
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES  
INTEGRATED ANTIPARALLEL  
COLLECTOR-EMITTER DIODE  
APPLICATIONS  
■
LINEARAND SWITCHING INDUSTRIAL  
EQUIPMENT  
3
2
1
DESCRIPTION  
The TIP102 is a silicon Epitaxial-Base NPN  
power transistor in monolithic Darlington  
configuration mounted in TO-220 plastic  
package. It is intented for use in power linear and  
switching applications.  
TO-220  
The complementary PNP type is TIP107.  
Also TIP105 is a PNP type.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
R1 Typ. = 5 KΩ  
R2 Typ. = 150 Ω  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
NPN  
PNP  
TIP102  
TIP107  
100  
TIP105  
60  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
V
V
V
A
A
A
60  
100  
5
8
ICM  
Collector Peak Current  
15  
1
IB  
Base Current  
o
Ptot  
80  
2
W
W
oC  
oC  
Total Dissipation at Tcase 25 C  
≤
o
Tamb ≤ 25 C  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
* For PNP types voltageand current values are negative.  
1/4  
October 1999  
1234

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TIP102 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP102 FAIRCHILD

完全替代

 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
TIP102G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
2N6045G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors

与TIP102相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP102_03 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
TIP102_15 UTC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP102-6200 RENESAS

获取价格

 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP102-6203 RENESAS

获取价格

 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP102-6226 RENESAS

获取价格

 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP102-6255 RENESAS

获取价格

 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP102-6258 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP102-6261 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP102-6263 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP102-6264 RENESAS

获取价格

 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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