5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIP102-DR6269 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| TIP102-DR6280 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP102G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors |
|
| TIP102G-TA3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| TIP102G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| TIP102-HAF | SWST |
获取价格 |
达林顿三极管 |
|
| TIP102L | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| TIP102L-TA3-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| TIP102L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| TIP102N | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
