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TIP102G

更新时间： 2024-09-13 04:28:27

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	88K
描述
Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors

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TIP102G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	0.59	其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

TIP102G 数据手册

TIP100, TIP101, TIP102

(NPN); TIP105, TIP106,

TIP107 (PNP)

TIP101, TIP102, TIP106 and TIP107 are Preferred Devices

Plastic Medium−Power

Complementary Silicon

Transistors

http://onsemi.com

DARLINGTON 8 AMPERE

COMPLEMENTARY SILICON

POWER TRANSISTORS

Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching

applications.

Features

60−80−100 VOLTS, 80 WATTS

• High DC Current Gain −

= 2500 (Typ) @ I

= 4.0 Adc

MARKING

DIAGRAM

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc

= 60 Vdc (Min) − TIP100, TIP105

= 80 Vdc (Min) − TIP101, TIP106

= 100 Vdc (Min) − TIP102, TIP107

CEO(sus)

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

CE(sat)

= 2.0 Vdc (Max) @ I

= 3.0 Adc

TO−220AB

CASE 221A

STYLE 1

TIP10xG

AYWW

= 2.5 Vdc (Max) @ I = 8.0 Adc

• Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Shunt Resistors

• Pb−Free Packages are Available*

TIP10x = Device Code

= 0, 1, 2, 5, 6, or 7

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

August, 2005 − Rev. 11

TIP100/D

12 3 4 5 6 7

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TIP102G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TIP102TU	ONSEMI	类似代替	8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
2N6045G	ONSEMI	类似代替	Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
TIP102	ONSEMI	类似代替	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

与TIP102G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIP102G-TA3-T	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor
TIP102G-TN3-R	UTC	获取价格	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP102-HAF	SWST	获取价格	达林顿三极管
TIP102L	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP102L-TA3-T	UTC	获取价格	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP102L-TN3-R	UTC	获取价格	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP102N	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP102NPN	CDIL	获取价格	PLASTIC POWER TRANSISTORS
TIP102S	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP102T	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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