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TIP102

更新时间： 2024-01-28 18:06:13
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 电阻器
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

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TIP102 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：80 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

TIP102 数据手册

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TIP100/101/102  
Monolithic Construction With Built In Base-  
Emitter Shunt Resistors  
•
•
•
•
•
High DC Current Gain : h =1000 @ V =4V, I =3A (Min.)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Industrial Use  
Complementary to TIP105/106/107  
FE CE C  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : TIP100  
60  
80  
100  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
: TIP101  
:TIP102  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP100  
60  
80  
100  
V
V
V
: TIP101  
: TIP102  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
5
V
A
R1  
R2  
I
I
I
8
C
E
R1 10 k Ω  
R2 0.6 k Ω  
15  
A
CP  
B
1
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
2
80  
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP100  
: TIP101  
: TIP102  
I
= 30mA, I = 0  
60  
80  
100  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP100  
CEO  
V
V
V
= 30V, I = 0  
50  
50  
50  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP101  
: TIP102  
= 40V, I = 0  
B
= 50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP100  
CBO  
V
V
V
= 60V, I = 0  
50  
50  
50  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
E
: TIP101  
: TIP102  
= 80V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
2
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 4V, I = 3A  
1000  
200  
20000  
FE  
CE  
BE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 8A  
C
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 3A, I = 6mA  
2
2.5  
V
V
C
C
B
= 8A, I = 80mA  
B
V
Base-Emitter ON Voltage  
Output Capacitance  
V
= 4V, I = 8A  
2.8  
V
CE  
CB  
C
C
V
= 10V, I = 0, f = 0.1MHz  
200  
pF  
ob  
E
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TIP102_03 STMICROELECTRONICS COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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