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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIP102-DR6260 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP102-DR6269 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| TIP102-DR6280 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP102G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors |
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| TIP102G-TA3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| TIP102G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| TIP102-HAF | SWST |
获取价格 |
达林顿三极管 |
|
| TIP102L | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| TIP102L-TA3-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| TIP102L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
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