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TC55B4257J-12

更新时间: 2024-02-01 10:27:32
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 166K
描述
IC 256K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM

TC55B4257J-12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ32,.44针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.81
最长访问时间:12 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
长度:21 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:32
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.6 mm子类别:SRAMs
最大压摆率:0.13 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.2 mmBase Number Matches:1

TC55B4257J-12 数据手册

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