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TC55B4257J-20

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 166K
描述
IC 256K X 4 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM

TC55B4257J-20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ,
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.86最长访问时间:20 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
长度:21 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:32
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.6 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.2 mm
Base Number Matches:1

TC55B4257J-20 数据手册

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